台积电和新思科技启用英伟达计算光刻平台进行生产，加速下一代先进芯片制造

英伟达宣布，台积电（TSMC）和新思科技（Synopsys）两大半导体行业巨头将使用计算光刻平台进行生产，加速制造并突破下一代先进半导体芯片的物理极限。目前新思科技已经将名为“cuLitho”的计算光刻库与其软件、制造工艺和系统集成，以加快芯片制造速度，并在未来支持最新一代Blackwell架构GPU。

英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋表示，计算光刻是芯片制造的基石，英伟达与台积电和新思科技合作，利用cuLitho与新算法结合，应用加速计算和生成式人工智能，为半导体开辟了新的领域，相比于当前基于CPU的方法，极大地改进了半导体制造工艺。

计算光刻是英伟达联合台积电、阿斯麦和新思科技，历时四年终于完成了计算光刻技术的一项重大突破，为下一代2nm工艺奠定了基础。其主要通过软件对整个光刻过程进行建模和仿真，使用光掩模文件的数学预处理来调整光学光刻中的像差和效果，以优化光源形状和光罩形状，减小光刻成像与芯片设计差距，从而使光刻效果达到预期状态，从而提高良品率。不过随着芯片的制造工艺向3nm及以下发展，每个光罩的负担呈指数级增长，使得芯片制造的难度加大。

目前计算光刻的过程也成为了芯片设计和制造领域中最大的计算负担，大型数据中心需要7x24连续运作，每年消耗数百亿CPU小时，去创建用于光刻系统的光罩，每年需要的资本支出和能源消耗量也十分地惊人。英伟达表示，通过GPU而不是CPU运算，可以将计算光刻的效率提高40倍，大大减轻晶圆厂的负担。

利用cuLitho计算光刻库，可以将工作负载转换成GPU并行处理，使得500个NVIDIA DGX H100就能完成40000个CPU组成的系统所完成的工作，从而缩短生产时间，同时降低成本、空间和功耗。

【来源：超能网】