速发财讯 金融科技 三星3nm GAA良品率仅20%,或与新伙伴合作改善生产

三星3nm GAA良品率仅20%,或与新伙伴合作改善生产

三星在今年6月末宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。三星表示,与原来采用FinFET的5nm工艺相比,初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积(PPA)方面有不同程度的改进,其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片,面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。

虽然三星看似在3nm制程节点上先行一步,但实际生产上并非一帆风顺。据ctee报道,与之前的4/5nm工艺一样,三星在3nm GAA工艺生产上同样遇到了挫折,良品率仅为20%。正是由于三星在4/5nm工艺上糟糕的良品率,才迫使高通这样的大客户将旗舰SoC订单转投到台积电(TSMC)。

为了克服生产上遇到的重重障碍,传言三星选择与美国的Silicon Frontline Technology合作,以提高3nm GAA工艺的良品率。至于为什么会选择这家公司,据称是其通过ESD静电及相关技术,以提高晶圆的良品率,似乎是个理想的合作伙伴。

至于是否有实际收益,还要留意未来几个月三星的晶圆代工情况,看看是否有客户愿意下订单采用三星的先进工艺。有消息指出,如果三星的计划取得成效,高通可能会重新选择三星,在一些SoC上采用双代工厂的做法,以便更好地控制产能和成本。

【来源:超能网】

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